半导体生产，氧气分析和改善晶片产量

几乎所有涉及气体的电子处理都在需要精确控制过程配方的腔室内进行。作为实例，在退火过程中经常使用氧气和氢以与现有层反应，在现有薄膜的表面上形成新的氧化物或氢化物层。

然而，在过程配方的某些部分中，氧气会导致问题。在这种情况下，消除了气相化学反应的大气污染成为优先级。这使得痕量O2水平的准确测量，这也可以用作检测腔室中的大气泄漏的装置，必须监控和记录的关键过程参数之一。知道该过程中氧气水平的确切将为您提供所需的信息，以确保最高质量和产品性能。

这就是我们可以帮助的地方。我们的痕量O2高纯度分析仪具有快速响应的氧化锆传感器和PPM的测量范围或PPB至O 2百分比。通过这种极快的响应和高精度，这些分析仪能够通过浓度的大步骤变化来测量O2，并在暴露于空气后几秒钟内测量O2的PPM浓度。

我们可以帮助的另一种方式是在O2缺乏监测室。氮是电子制造中最广泛使用的气体。虽然它可以用作工艺气体，但更常用于惰性和吹扫，包括用于清洗真空系统和废物减排系统的大量。所有那些N2都会引起不安全的条件，你是否有不安的情况。

我们的O2缺乏监视器可以帮助您保护工人，通过确保呼吸空气氧气水平是安全的。这些百分比O2分析仪将密切监测您的工作场所环境以进行与暴露在不安全的呼吸空气相关的健康危害。

在衡量关键过程参数以及满足您的质量和安全目标时，我们非常了解您面临的挑战。通过我们团队的专业知识，我们能够继续帮助企业智能，更安全，更经济地运营。

无论您需要更紧密地监测系统中的氧气水平或通过使您的工人保护您的工人，使呼吸空气水平是安全的，您可以依靠我们。